دانشمندان مدرسه فیزیک موسسه تکنولوژی جورجیا با استفاده از تکنیک جدیدی به نام "نانو لیتوگرافی ترموشمیایی" (TCNL) موفق شدند نانوسیمهای جدیدی را از ماده گرافن به دست آورند.
در این فرایند، این فیزیکدانان اکسید گرافن عایق را با یک میکروسکوپ الکترونیکی نیروی اتمی گرم کردند و به این ترتیب موفق شدند نانوسیمهایی به قطر 10 نانومتر به دست آورند.
نتایج این تحقیقات یک گام رو به جلو در توسعه کابردهای الکترونیکی نانومدارات گرافنی است گرافن مهترین گزینه برای جانشینی نیمه رساناها است.
براساس گزارش ساینس، این تکنیک با اشکال مختلفی از گرافن کار می کند و می تواند تضمینی برای توسعه آینده مدارات الکترونیکی برپایه گرافن باشد.
این محققان در این خصوص اظهار داشتند: "ما نشان دادیم که با گرم کردن محل به محل اکسید گرافن عایق با استفاده از میکروسکوپ الکترونیکی نیروی اتمی قادر خواهیم بود نانوسیمها را تولید کنیم و بتوانیم خواص الکترونیکی را برای رسانایی الکتریکی این ماده تنظیم و کنترل کنیم."
تاریخ : دوشنبه 92/4/24 | 4:39 صبح | نویسنده : | نظرات ()